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晶体管
STL100N10F7参考图片

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STL100N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
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数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
3,000
¥8.0682
24204.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL100N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
优势价格,STL100N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:3657
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
3,000:¥4.8816
9,000:查看
参考库存:3736
晶体管
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:2523
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1648
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:8787
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