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FP50R12KT4_B11

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数量单价合计
1
¥806.5149
806.5149
5
¥791.678
3958.39
10
¥756.1056
7561.056
25
¥730.9066
18272.665
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R12KT4B11BOSA1 SP000372909
商品其它信息
优势价格，FP50R12KT4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
2N5457
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
6MS16017P43W40382
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
NVMFS5C430NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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