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晶体管
STGF10NB60SD参考图片

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STGF10NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF10NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
10 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF10NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:21271
晶体管
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7969
500:¥5.1302
2,500:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:50844
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥3.0058
参考库存:34789
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP56-16T/SC-73/REEL 13" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
4,000:¥0.49155
参考库存:73247
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.7358
250:¥25.4363
1,000:¥19.21
2,000:查看
参考库存:4881
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