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晶体管
STH315N10F7-2参考图片

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STH315N10F7-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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库存：2,017(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5724
355.724
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.1254
22125.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH315N10F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH315N10F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DZT651-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6145
BD437S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7968
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
参考库存:2317
MJE5730G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 300V 40W PNP
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.3901
1,000:¥4.2601
参考库存:2568
2N6384
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Pwr Darlington
1:¥46.104
10:¥45.7198
25:¥41.6518
100:¥37.5725
参考库存:2891
APT42F50S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥93.8239
10:¥85.2924
25:¥78.8401
50:¥74.6139
参考库存:1434
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