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晶体管
EM6M2T2R参考图片

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EM6M2T2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
8,000
¥1.04525
8362
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4 V, - 4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
EM6M2
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
10 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 4 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 6 ns
零件号别名
EM6M2
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,EM6M2T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥4.068
10:¥3.3335
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10:¥3.7968
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 300V 40W PNP
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.3901
1,000:¥4.2601
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1:¥46.104
10:¥45.7198
25:¥41.6518
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1:¥93.8239
10:¥85.2924
25:¥78.8401
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参考库存:1434
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