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晶体管

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STGB40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存:2,304(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40V60F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.0682
参考库存:4472
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:8289
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥300.6704
2:¥292.4553
5:¥284.3871
10:¥276.2398
参考库存:3746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Extremely High Voltage
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6724
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:6493
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:9379
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