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晶体管
SQD50P04-09L_T4GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SQD50P04-09L_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252
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库存:31,993(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥4.6443
11610.75
5,000
¥4.407
22035
10,000
¥4.2375
42375
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,SQD50P04-09L_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥23.278
10:¥19.2891
100:¥15.9104
250:¥15.368
参考库存:3407
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:13503
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp
1:¥9.4468
10:¥7.5484
100:¥6.5992
500:¥5.1189
1,000:¥4.0454
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:12749
晶体管
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
4,000:¥2.0792
参考库存:6709
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