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晶体管
IRLD110PBF参考图片

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IRLD110PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:10,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.3 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
商品其它信息
优势价格,IRLD110PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.5086
参考库存:1881
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥6.9043
参考库存:10240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:2583
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:8425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:2342
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