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晶体管
SI2377EDS-T1-GE3参考图片

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SI2377EDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:24,887(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.6159
807.95
1,000
¥1.243
1243
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns
典型接通延迟时间
0.2 ns
零件号别名
SI2377EDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2377EDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3977
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:244669
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:28744
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
参考库存:4458
晶体管
MOSFET 250V 3.3A
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.9891
100:¥7.2772
2,000:¥7.2772
参考库存:11378
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