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晶体管
FQP13N10参考图片

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FQP13N10

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库存:5,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
1,000
¥3.4126
3412.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12.8 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP13N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FQP13N10_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP13N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMSTA56/8/SOT323/SC-70
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.13786
参考库存:18539
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5342
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:14344
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:18546
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