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晶体管
NTGD1100LT1G参考图片

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NTGD1100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
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库存:31,076(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
系列
NTGD1100L
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGD1100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
参考库存:2538
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:30305
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:30308
晶体管
达林顿晶体管 DARLINGTON 100V 8A Bipolar SM Trans
2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:30311
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:30314
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