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晶体管
NTGD1100LT1G参考图片

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NTGD1100LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
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库存:31,076(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
系列
NTGD1100L
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGD1100LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:6960
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:45707
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
1:¥16.5997
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:1729
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
1,000:¥9.7632
3,000:¥9.0626
参考库存:7271
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:1397
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