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晶体管
DMN2550UFA-7B参考图片

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DMN2550UFA-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
10,000
¥0.4068
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0806-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
880 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN25
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
7.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2550UFA-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥135.7808
10:¥123.4073
25:¥114.1074
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参考库存:4018
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1:¥3.6838
10:¥2.373
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
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1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:22178
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1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
参考库存:63891
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1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:18922
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