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晶体管
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SD2932

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库存:3,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,061.3864
1061.3864
10
¥973.947
9739.47
25
¥874.055
21851.375
50
¥774.163
38708.15
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tray
配置
Single
工作频率
250 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
商品其它信息
优势价格,SD2932的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥94.355
10:¥86.8292
25:¥83.2132
100:¥73.3031
参考库存:3414
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.1312
500:¥22.5096
参考库存:4282
晶体管
MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:11598
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3666
晶体管
MOSFET PFET DPAK 60V 12A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,500:¥2.2035
参考库存:9013
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