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晶体管
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AGR09045EF

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库存:23,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
商品其它信息
优势价格,AGR09045EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:4471
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥23.8204
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
1,000:¥12.5995
2,000:查看
参考库存:4477
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:4567
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:6985
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11644
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