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晶体管
BSH103,215参考图片

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BSH103,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30V 0.85A
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库存:159,305(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2100 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW (3/4 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel MOS Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSH103 T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSH103,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 40V MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7348
1,000:¥5.3223
1,500:¥5.3223
参考库存:47329
晶体管
IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4919
参考库存:4157
晶体管
MOSFET FET 40V 0.85 MOHM PQFN56
1:¥36.9623
10:¥31.4253
100:¥27.2782
250:¥25.8205
3,000:¥18.5998
参考库存:5830
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:9333
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8204
250:¥22.6678
500:¥20.2835
800:¥17.515
参考库存:6887
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