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晶体管
TPN2010FNH,L1Q参考图片

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TPN2010FNH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5258
752.58
500
¥6.6444
3322.2
5,000
¥4.6556
23278
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
9.9 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN2010FNH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，TPN2010FNH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CG2H30070F-TB2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
1:¥6,627.45
参考库存:5575
N84C162WD25TG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
3,000:¥5.7969
6,000:查看
参考库存:41576
MRF464
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:26191
NVD4804NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
2,500:¥4.2375
10,000:¥4.0793
参考库存:26194
DP0150ALP4-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:8584
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