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晶体管
TPN8R903NL,LQ参考图片

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TPN8R903NL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
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库存：7,546(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
3,000
¥1.7628
5288.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN8R903NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
商品其它信息
优势价格，TPN8R903NL,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULQ2803A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:4262
STB18NF25
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:3563
IRFB61N15DPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:3564
FQA9N90C-F109
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 900V N-Channel QFET
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
500:¥16.9839
参考库存:3240
MJD112T4
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:6912
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