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晶体管
MG12105S-BA1MM参考图片

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MG12105S-BA1MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 100A Dual
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库存:1,116(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥580.9104
580.9104
5
¥569.4635
2847.3175
10
¥545.6431
5456.431
25
¥528.049
13201.225
50
¥520.9752
26048.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12105S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,MG12105S-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.7358
250:¥25.4363
参考库存:7403
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥8.5315
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:4482
晶体管
射频开发工具 1800W - 27MHz
1:¥8,516.4032
参考库存:3815
晶体管
MOSFET PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
1,500:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:6722
晶体管
MOSFET N Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.0455
100:¥4.5991
500:¥3.7968
1,000:¥3.0397
3,000:¥2.7459
参考库存:5866
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