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晶体管
SSM3J328R,LF参考图片

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SSM3J328R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
88.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.5 V
Qg-栅极电荷
12.8 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2.9 mm
系列
SSM3J328
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
4.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
107 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SSM3J328R,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP 120V DARLINGTON TRANSISTR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:13499
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:12342
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
500:¥22.8938
800:¥22.8938
参考库存:5587
晶体管
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1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
4,000:¥1.1639
参考库存:5979
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1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
9,000:查看
参考库存:4002
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