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晶体管
APT50GS60BRDQ2G参考图片

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APT50GS60BRDQ2G

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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1
¥84.6822
84.6822
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
93 A
Pd-功率耗散
415 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
93 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
93 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt HS
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT50GS60BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:11351
晶体管
MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A
1:¥4.9155
25:¥4.1923
100:¥3.7968
250:¥3.3335
2,000:¥2.5877
4,000:查看
参考库存:5692
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:6717
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:4352
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9947
1,000:¥5.5257
3,000:¥5.5257
参考库存:5315
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