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晶体管
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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
优势价格，APT75GP120B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
3,000:¥2.1357
9,000:¥2.0566
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9436
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DMT3006LFVQ-13
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10,000:¥0.23052
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33471
SK8403160L
Panasonic
晶体管
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3,000:¥3.7968
参考库存:33474
FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A
10:¥1,094.97
30:¥1,071.9971
参考库存:33477
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