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晶体管
SUM90330E-GE3参考图片

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SUM90330E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
  • 数据手册下载
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库存:2,367(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.2433
3621.65
1,000
¥5.7178
5717.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
35.1 A
Rds On-漏源导通电阻
31.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SUM90330E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:29647
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:122395
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:2637
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3028
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:3349
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