您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
VN2406L-G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

VN2406L-G

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,645(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥10.5994
105.994
25
¥8.9157
222.8925
100
¥8.1473
814.73
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN2406L-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22178
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥410.4047
5:¥401.3308
10:¥382.9683
25:¥366.911
参考库存:1658
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
参考库存:22183
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.6623
10:¥21.2892
100:¥17.515
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:22186
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
参考库存:22189
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们