您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SIHU7N60E-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SIHU7N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:19,002(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥6.1246
18373.8
6,000
¥5.8986
35391.6
12,000
¥5.6726
68071.2
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
609 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,SIHU7N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 800A
1:¥7,250.08
5:¥7,134.2098
参考库存:1832
晶体管
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥8.8366
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
2,500:¥3.5708
10,000:查看
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9494
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.2826
参考库存:6773
晶体管
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:7903
晶体管
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.5933
参考库存:13518
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们