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晶体管
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FDMS7600AS

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库存：8,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
3,000
¥7.3676
22102.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A, 40 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 81 nC
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
商标名
PowerTrench SyncFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
6 mm
系列
FDMS7600AS
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
63 S, 190 S
下降时间
2.3 ns, 5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns, 7.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
8.6 ns, 18 ns
单位重量
211 mg
商品其它信息
优势价格，FDMS7600AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3960
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥105.655
10:¥96.05
25:¥88.8293
50:¥83.9816
参考库存:43614
JANSR2N7389
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥3,207.2225
5:¥3,163.1186
10:¥3,052.3899
25:¥2,941.7403
参考库存:43617
BSM35GD120DLCE3224
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 70A
1:¥912.7801
5:¥895.9544
10:¥855.6925
25:¥827.1035
参考库存:43620
JANTX2N5665
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥352.3114
5:¥333.2596
10:¥329.4854
25:¥304.7497
参考库存:43623
2N5002
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:43626
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