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晶体管
KSD560RTU参考图片

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KSD560RTU

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库存:32,611(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥2.7911
5582.2
3,000
¥2.3504
7051.2
10,000
¥2.2713
22713
25,000
¥2.1696
54240
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
1 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD560
封装
Tube
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSD560RTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,KSD560RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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