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晶体管
TK380P65Y,RQ参考图片

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TK380P65Y,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
2,000
¥4.0906
8181.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TK380P65Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
60 ns
商品其它信息
优势价格，TK380P65Y,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJD32CT4G
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 15W PNP
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
2,500:¥1.469
参考库存:13443
2N3053
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥19.5151
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:2786
NTD18N06LT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 18A N-Channel
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.4634
参考库存:5476
2N6287G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP
1:¥54.2513
10:¥49.0194
50:¥46.7933
100:¥40.567
参考库存:1250
SSM3K324R,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:67783
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