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晶体管
RQ6E055BNTCR参考图片

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RQ6E055BNTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V 5.5A Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6272
1627.2
3,000
¥1.4464
4339.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
RQ6E055BN
商品其它信息
优势价格，RQ6E055BNTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ATP214-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:7534
VN1206L-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.1362
25:¥10.1474
100:¥9.2208
2,000:¥5.9438
参考库存:25149
NVMFS5A160PLZWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.831
参考库存:14539
TN0106N3-G P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
参考库存:25154
BSL316C H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:4659
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