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晶体管
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BSM15GP120

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库存:45,725(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥723.6068
723.6068
5
¥710.3067
3551.5335
10
¥678.339
6783.39
25
¥655.7503
16393.7575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
180 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GP120BOSA1 SP000100373
商品其它信息
优势价格,BSM15GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:12697
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
1:¥24.0464
10:¥19.8993
100:¥16.4415
250:¥15.9104
2,000:¥11.4469
4,000:查看
参考库存:8204
晶体管
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2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:24314
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1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:11704
晶体管
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1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:24319
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