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晶体管
TPN4R712MD,L1Q参考图片

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TPN4R712MD,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
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库存：15,747(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
5,000
¥2.034
10170
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN4R712MD
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
443 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，TPN4R712MD,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMUN2140LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:19147
BC807-25LZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
30,000:¥0.13108
60,000:¥0.11526
120,000:¥0.09266
参考库存:19150
ADTA123JCAQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:19153
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:14956
DMN10H170SK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
2,500:¥2.0453
参考库存:19158
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