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晶体管
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CG2H40045F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
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1
¥1,206.8513
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
45 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tray
工作频率
DC to 4 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CG2H40045F-TB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
120
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H40045F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 40 V 25 mo FET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
参考库存:4290
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:6805
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:21199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:41249
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:3787
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