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晶体管
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FDPF12N60NZ

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库存:5,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.8256
14.8256
10
¥12.5995
125.995
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FDPF12N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
13.5 S
下降时间
130 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FDPF12N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:45454
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:5659
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1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.4523
参考库存:45459
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1:¥355.159
5:¥344.4692
10:¥334.3331
25:¥313.4281
参考库存:45462
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.9785
10:¥19.8202
25:¥17.7523
100:¥15.9104
参考库存:45465
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