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晶体管
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FQP27P06

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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0399
703.99
500
¥6.215
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP27P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12.4 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
185 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FQP27P06_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥1,157.5946
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5:¥428.7672
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10,000:¥0.40002
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥80.3769
250:¥73.3822
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2,500:¥3.1527
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5764
参考库存:40401
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