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晶体管
FQB50N06TM参考图片

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FQB50N06TM

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库存:5,332(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2772
72.772
100
¥5.5822
558.22
500
¥4.9381
2469.05
800
¥3.8985
3118.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB50N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQB50N06TM_NL
单位重量
1.300 g
商品其它信息
优势价格,FQB50N06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
500:¥18.2834
参考库存:1967
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:1831
晶体管
MOSFET KTT pkg spin from CSD18535KCS
1:¥22.2045
10:¥19.9784
100:¥16.3624
250:¥15.368
500:¥13.9103
参考库存:2421
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:5443
晶体管
MOSFET PMV20XNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15392
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