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晶体管
VS-GP100TS60SFPBF参考图片

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VS-GP100TS60SFPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench PT
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数量单价合计
1
¥625.3985
625.3985
5
¥613.1041
3065.5205
10
¥587.4418
5874.418
25
¥568.4578
14211.445
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
INT-A-PAK
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
337 A
Pd-功率耗散
781 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
337 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
单位重量
200 g
商品其它信息
优势价格,VS-GP100TS60SFPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
参考库存:7428
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV BISS TAPE-7
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:5678
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥140.5381
5:¥135.0802
10:¥130.0178
25:¥119.4071
参考库存:4560
晶体管
MOSFET SINGLE P-CHANNEL
暂无价格
参考库存:22909
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHAN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:9015
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