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晶体管
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:2,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 2.5A N-Channel
1:¥3.4578
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72207
参考库存:15372
晶体管
MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 22nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3843
1,000:¥1.8532
4,000:¥1.5707
参考库存:6941
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
参考库存:5678
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
9,000:¥0.62263
18,000:查看
参考库存:17111
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:26202
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