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晶体管
T1G2028536-FL参考图片

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T1G2028536-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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库存:2,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.8 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 275 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1111394
商品其它信息
优势价格,T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3399
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:4770
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:1881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:2209
晶体管
IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:2256
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