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晶体管
CSD18512Q5BT参考图片

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CSD18512Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:4,866(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
250
¥9.2999
2324.975
500
¥8.1473
4073.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18512Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
136 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
115.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18512Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:3933
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥39.7986
10:¥32.9621
100:¥27.12
250:¥26.2838
参考库存:2343
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
8,000:¥0.73789
参考库存:21066
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:2012
晶体管
MOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
2,500:¥6.5992
5,000:查看
参考库存:6406
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