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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	400
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2110
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2110MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N7002DW H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6	1:¥2.7685 10:¥1.808 100:¥0.77631 1,000:¥0.5989 3,000:¥0.45313	参考库存:69295
STGB30H60DFB	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed	1:¥18.0574 10:¥15.368 100:¥12.2944 500:¥10.7576 1,000:¥8.9157	参考库存:3841
BSC040N10NS5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8	1:¥16.9048 10:¥14.3736 100:¥11.526 500:¥10.0683 5,000:¥7.5032	参考库存:2191
DTD113EKFRAT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346	1:¥3.7629 10:¥2.8476 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 3,000:¥0.99892	参考库存:8059
IPW60R041P6FKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM	1:¥88.592 10:¥80.1396 25:¥76.3767 100:¥66.3084	参考库存:2541