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晶体管
RGTV60TK65DGVC11参考图片

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RGTV60TK65DGVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.1095
43.1095
10
¥36.6572
366.572
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1258
7531.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
33 A
Pd-功率耗散
76 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGTV60TK65DGVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH/400V/6A/CFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.3789
800:¥6.1133
参考库存:2466
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥8.7575
10:¥7.5145
100:¥5.7743
500:¥5.1076
1,000:¥4.0228
3,000:¥4.0228
参考库存:4544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 30V
1:¥3.2318
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:7034
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.5315
10:¥7.458
100:¥6.215
500:¥4.8703
3,000:¥3.5143
6,000:查看
参考库存:7814
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥7.684
10:¥6.5992
100:¥5.0737
500:¥4.4748
2,500:¥3.1301
10,000:查看
参考库存:4171
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