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晶体管
MRF13750HR5参考图片

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MRF13750HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
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数量单价合计
1
¥2,406.2446
2406.2446
5
¥2,348.3886
11741.943
10
¥2,290.058
22900.58
25
¥2,257.9434
56448.585
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
20.5 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF13750H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360897178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRF13750HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:5134
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:6560
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
500:¥24.5097
参考库存:4495
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:4078
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:19013
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