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晶体管
STW36N60M6参考图片

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STW36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.2672
332.672
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.3573
6839.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STW36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
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10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
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1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:12557
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:16799
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