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晶体管
SIHJ10N60E-T1-GE3参考图片

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SIHJ10N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
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库存：6,583(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5887
22.5887
10
¥18.7467
187.467
100
¥14.5205
1452.05
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
313 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIHJ10N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF4E110BNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:7345
NGB8206ANSL3G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
参考库存:5183
FP15R12W1T4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥295.7549
5:¥292.7604
10:¥272.8611
25:¥260.5667
参考库存:4892
STGIPS10K60A
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 IGBT IPM 10A 600 V SDIP25L molded
1:¥83.2132
10:¥76.5349
25:¥73.3031
100:¥64.6247
参考库存:4979
NTK3134NT1H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:12807
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