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晶体管
CSD87501LT参考图片

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CSD87501LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET
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库存：34,174(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥5.2093
1302.325
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
2,500
¥3.2205
8051.25
10,000
¥3.1075
31075
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
BGA-10
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
3.37 mm
系列
CSD87501L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.47 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
712 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
260 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
709 ns
典型接通延迟时间
164 ns
单位重量
3.100 mg
商品其它信息
优势价格，CSD87501LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU2840V
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:28911
MRF6V3090NBR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:28914
PMV45EN2VL
Nexperia
晶体管
MOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/
10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
BUK768R1-100E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
4,800:¥6.5201
9,600:¥6.2602
参考库存:28920
MG12100D-BA1MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
60:¥732.5112
参考库存:28923
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