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晶体管
STD12N60M2参考图片

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STD12N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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库存:3,510(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
2,500
¥4.9607
12401.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
395 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
-
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.2 mm
产品
Power MOSFET
系列
STD12N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
6.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
-
产品类型
MOSFET
上升时间
-
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
-
典型接通延迟时间
-
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD12N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:6309
晶体管
MOSFET 50V N-CH Logic Level
1:¥3.3787
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.54579
参考库存:130020
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥67.009
10:¥60.3194
25:¥54.9406
50:¥51.1777
参考库存:1152
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
2,500:¥0.25312
10,000:¥0.2147
参考库存:9451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6557
参考库存:1258
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