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晶体管
NTMFS5H414NLT1G参考图片

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NTMFS5H414NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET
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数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
1,500
¥11.2209
16831.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
11.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52.3 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.8 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
商品其它信息
优势价格,NTMFS5H414NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:12049
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:24664
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:106054
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24669
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:24672
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