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晶体管
SIHG47N60AEF-GE3参考图片

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SIHG47N60AEF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:2,344(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.8509
68.8509
10
¥62.0144
620.144
25
¥56.4774
1411.935
100
¥50.9404
5094.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
189 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
67 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
143 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG47N60AEF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
1,500:¥1.5594
参考库存:6932
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 34A 37MO
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.8082
2,500:¥4.068
10,000:查看
参考库存:32973
晶体管
MOSFET 20V Enh Mode FET
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:7231
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥2.2374
参考库存:12513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V NPN
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:432853
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