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晶体管
TGF2977-SM参考图片

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TGF2977-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
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数量单价合计
1
¥185.5686
185.5686
25
¥160.5165
4012.9125
100
¥138.8544
13885.44
250
¥129.0912
32272.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
326 mA
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
8.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
3 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2977-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127257
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2977-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC143XT,215
Nexperia
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10:¥1.1639
100:¥0.41471
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10:¥6.7461
100:¥5.1867
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100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
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24,000:查看
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1:¥5.2206
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100:¥2.7685
1,000:¥2.2261
5,000:¥1.8758
参考库存:8118
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