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晶体管
IRF60DM206参考图片

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IRF60DM206

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og
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库存：6,483(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.9729
22.9729
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2889
1528.89
250
¥13.221
3305.25
4,800
¥11.0627
53100.96
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-ME
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
133 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
148 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001561876
商品其它信息
优势价格，IRF60DM206的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS225R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥2,739.8884
5:¥2,574.7502
参考库存:2225
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥59.551
10:¥53.788
25:¥51.2568
100:¥44.4881
3,000:¥32.4988
参考库存:2228
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:2696
FDC604P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:92095
QS8J4TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
3,000:¥2.8363
9,000:查看
参考库存:2900
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