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晶体管
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RGW60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥30.736
30.736
10
¥26.1256
261.256
100
¥22.6678
2266.78
250
¥21.5152
5378.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGW60TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMX3NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-363
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:40951
RJH1CD7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.6518
10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:40954
AGR18045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:40957
RJH60A83RDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥16.9839
10:¥15.2889
25:¥13.673
100:¥12.2944
参考库存:40960
JANTX2N6301
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:40963
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