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晶体管
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RGW60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥30.736
30.736
10
¥26.1256
261.256
100
¥22.6678
2266.78
250
¥21.5152
5378.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW60TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 30A 250V Bipolar Power PNP
1:¥53.788
10:¥48.6352
50:¥46.33
100:¥40.2619
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:3576
晶体管
MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
1:¥8.8366
10:¥7.5823
100:¥5.8195
500:¥5.1528
参考库存:2600
晶体管
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
参考库存:2286
晶体管
MOSFET 1200V 80m? SiC Cascode Fast
1:¥252.0352
5:¥240.7352
10:¥233.2094
25:¥214.3045
参考库存:1719
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