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晶体管
JANTX2N930/TR参考图片

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JANTX2N930/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:40,872(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥93.2815
9328.15
250
¥85.0664
21266.6
500
¥79.6085
39804.25
1,000
¥72.998
72998
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-72-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 3 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 at 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTX2N930/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8195
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:3098
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:12336
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:3989
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥45.7989
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:3433
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:4454
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